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サムスンの半導体の歴史 1974年に韓国半導体へ出資、1992年にDRAMで世界1位

サムスン電子の半導体事業は、1974年に韓国半導体の株式の半分を得たところから始まりました。1992年にDRAMで世界1位、2002年にNANDで世界1位となり、2026年7〜9月期には半導体部門だけで106.5兆ウォンの営業利益を出しました。

ポイント
  • 1974年に韓国半導体の株式の50%を取得し、1977年に買収を終えました。1978年に社名がサムスン半導体になっています。
  • 1983年に器興で超LSIの工場の建設に入り、64KビットのDRAMを開発しました。
  • 1992年に世界初の64MビットDRAMを開発し、DRAMで世界1位になっています。2002年にはNANDでも1位になっています。
  • 2013年に業界初の3次元NAND(V-NAND)を量産し、2022年には3nmのGAAの生産を始めました。
  • 2026年7〜9月期のDS部門は売上高147.1兆ウォン、営業利益106.5兆ウォンでした。

サムスン電子は、メモリーで世界最大級の半導体メーカーです。会社は1969年に設立されました。半導体事業の出発点は、1974年の小さな会社への出資です。会社の年表をたどると、DRAMで世界の先頭に立つまでに18年かかっています(計算)。

出資から始まる

サムスンの会社情報の年表によると、1974年に韓国半導体の株式の50%を取得し、1977年に買収を終えました。1978年に韓国半導体はサムスン半導体に名前を変え、1980年にサムスン電子の半導体部門と一緒になっています。

1983年には、韓国の器興で超LSI(VLSI)の工場の建設に入り、64KビットのDRAMを開発しました。1984年に256Kビット、1986年に1MビットのDRAMを開発しています。1988年には、半導体と通信の会社をサムスン電子に統合しています。

DRAMとNANDで1位に

サムスンのメモリーの主な節目
年出来事
1992年世界初の64MビットDRAMを開発。DRAMで世界1位に
1993年世界初の200mmウエハーの工場を建設。16MビットのNANDを開発
1994年世界初の256MビットDRAMを開発
2002年1GビットのNANDを量産。NANDで世界1位、半導体全体で2位に
2013年業界初の3次元NAND(V-NAND)を量産
2018年8GBのHBM2「Aquabolt」を生産

出典はサムスンの会社情報の年表。

サムスンの社内報によると、2002年のNANDの市場でのシェアは54%でした。同じ年に器興の工場にSoCの研究センターを設けています。

ロジックとファウンドリー

メモリー以外では、1997年にシステムLSIの事業部をつくりました。2015年には、業界初の14nmのFinFETを使ったスマートフォン用のプロセッサ「Exynos 7 Octa」の量産を発表しています。2017年には、受託生産のファウンドリーの事業部をシステムLSIから分けました。

2019年には、2030年までにシステム半導体に133兆ウォンを投じる計画を発表しました。2021年に米テキサス州テイラーに工場を建てると発表し、2022年に世界初の3nmのGAAのチップの生産を始めています。米国では、1996年に進出したオースティンの工場が2017年にファウンドリーの工場になりました。

いまの半導体部門

2026年7〜9月期の連結の売上高は195.3兆ウォン、営業利益は107.4兆ウォンでした。会社は、四半期の営業利益で100兆ウォンを超えた初めてのテクノロジー企業になったとしています。

このうち半導体のDS部門は、売上高が147.1兆ウォン(前の四半期比15%増)、営業利益が106.5兆ウォンでした。営業利益率は72%です。会社は、メモリーでHBM4の販売を大きく増やし、サーバー向けのSSDの需要にも応えたと説明しています。

この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。

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