ラピダスの装置の導入の歩み 2024年12月にEUVを搬入、2026年度は短TATの生産システムと搬送を試作ラインで検証
ラピダスは2024年12月18日、北海道千歳市のIIM-1でASMLのEUV露光装置NXE:3800Eの設置を始めました。2026年度の計画では、短TAT(短い製造期間)の生産システムの装置、搬送、生産管理を試作ラインに入れて検証します。
製造装置・材料・部品の動き(80本)
ラピダスは2024年12月18日、北海道千歳市のIIM-1でASMLのEUV露光装置NXE:3800Eの設置を始めました。2026年度の計画では、短TAT(短い製造期間)の生産システムの装置、搬送、生産管理を試作ラインに入れて検証します。
キオクシアは2026年度の設備投資の総額を4700億円と見込み、下期(10月〜2027年3月)に3300億円を使う計画です。北上工場では第3製造棟(K3)の建設予定地の整備を始め、2029年度中の稼働を予定しています。
インテルの2026年7〜9月の設備投資の総額は42億1900万ドルで、前年同期の約30億ドルを上回りました。4月には、2024年に米アポロへ売ったアイルランド工場の持ち分49%を142億ドルで再取得すると発表しています。
マイクロンは2027年8月期の上期(2026年9月〜2027年2月)の設備投資を約250億ドルと見込んでいます。前の期の通年の純設備投資273億7000万ドルに、半年で迫る規模です。
SKハイニックスは2026年2月と8月に、新しい工場の投資を計75.9兆ウォン決めました(計算)。7〜9月期の決算では、2027年の投資が大きく増えるとの見通しを示しています。
サムスン電子の2026年7〜9月の設備投資は29兆ウォンで、前の四半期から12.2兆ウォン、前年同期から19.8兆ウォン増えました。会社は2026年通年の設備投資を約84.4兆ウォンと見込んでいます。
TSMCは2026年の設備投資の予算を600億〜640億ドルとし、その70〜80%を先端の微細化の技術に充てると説明しています。1〜9月に使った額は計406億ドルで、2025年通年の409億ドルとほぼ同じです(計算)。
半導体製造装置の受注は先行きを読む手がかりですが、開示の仕方は会社ごとに大きく違います。KOKUSAI ELECTRICは7〜9月の受注高を約1670億円と示し、ASMLは2025年10〜12月の132億ユーロを最後に四半期の受注額を出していません。
キオクシアと米サンディスクの製造合弁は、製造装置の一部を金融機関の団体に売却し、それを借り戻すリースで資金を手当てしています。サンディスクが保証する残高は2026年7月3日時点で1490億円(9億2300万ドル)で、両社が半分ずつ保証しています。
半導体製造装置の売上は、装置を出荷した時か、工場で据え付けて顧客が検収した時に計上されます。ディスコの2026年7〜9月の出荷額は1486億円、売上高は1427億円で、2つの数字には時間のずれがあります。
東京エレクトロンの2026年7〜9月の韓国向け売上高は1907億円で、前年同期の1325億円から44%増えました(計算)。米アプライド・マテリアルズの8〜10月の韓国向けは18億1100万ドルで49%増でした(計算)。
中国の主な半導体製造装置メーカー6社の2026年1〜9月の売上高は合計582億7100万元でした(計算)。7〜9月は、最大手の北方華創が前年同期比1.31%増、成膜の拓荆科技が1.84%増と、伸びが鈍りました。
2026年7〜9月の東京エレクトロンの中国向け売上高は3399億円で、前年同期から34%増えました(計算)。同じ時期、北方華創など中国の主要な装置メーカー6社の売上高の合計は約7%増にとどまりました(計算)。
KOKUSAI ELECTRICは、装置の生産リードタイムが8カ月で、下期も変わらない見通しだと説明しています。テスターのアドバンテストは、2027年も業界全体で供給の制約が続き、最終の顧客の需要が供給を上回るとみています。
信越化学工業は、既存の契約の量を超える分や契約のない顧客向けのシリコンウエハーについて、10月から値上げした価格を適用しています。レゾナックは、半導体・電子材料の2026年1〜9月のコア営業利益の増加のうち158億円を販売価格の差と説明しました。
JX金属は、半導体用スパッタリングターゲットの世界シェアを約65%としています。東京応化工業はEUV用レジストで29.3%、テクセンドフォトマスクは外販フォトマスクで40.5%と、いずれも世界1位を名乗っています。
東京応化工業の2025年12月期の売上高2370億円のうち、台湾向けは856億円で36%を占めました(比率は計算)。最大の顧客のTSMC向けは796億円で、1社で売上の3分の1にあたります(計算)。
2026年7〜9月の地域別の売上の比率は、東京エレクトロンが中国36.4%(計算)、ラムリサーチが中国35%で、ともに最大の地域でした。アプライド・マテリアルズの8〜10月は台湾が28%で最も多く、中国は25%でした。
2026年7〜9月の営業利益率は、アドバンテストが55.9%、ディスコが47.4%で、日米の主な装置メーカーの中で上位に並びました。前工程の装置を幅広く売る東京エレクトロンは31.6%、米アプライド・マテリアルズ(8〜10月)は35.1%でした。
東京エレクトロンは2027年3月期の研究開発費を3350億円と計画し、前の期の2778億円から21%増やします(計算)。アドバンテストは1140億円で46%増と、6社の中で伸びが最も大きくなっています。
化合物半導体の成膜の装置を手がける独アイクストロンの7〜9月期の受注は2億7,490万ユーロで、前年同期比122%増えました。装置の受注の約24%がパワー半導体向けで、会社はGaNとSiCのパワー半導体の分野で「回復の始まり」が見えるとしています。
チップ同士を直接貼り合わせる「ハイブリッド接合」の装置を手がけるオランダのBEセミコンダクター(Besi)の7〜9月期の受注は3億4,260万ユーロで、前年同期比96.1%増えました。樹脂で封じる装置のTOWAの7〜9月期の受注は329億7,000万円で、前年同期の2.3倍です。
東京エレクトロンの7〜9月期の新しい装置の売上は7,344億円で、DRAM向けが34%、不揮発性メモリ向けが10%を占めました。DRAM向けの金額は約2,497億円で、前年同期の約1,229億円から約2倍になった計算です。
KOKUSAI ELECTRICは、2027年3月期にGAA(ゲート・オール・アラウンド)の2nm世代向けの投資が進み、GAA向けの装置売上が200億円を超えると見込んでいます。アプライドマテリアルズの2026年10月期の半導体システムの売上のうち、ファウンドリー・ロジック向けは63%でした。
ASMLの2026年1〜6月の低開口数(Low-NA)のEUV露光装置の販売は29台、売上は67億850万ユーロでした。1台あたりの平均は約2億3100万ユーロ(計算)で、ArF液浸の約2.8倍(計算)です。
KOKUSAI ELECTRICは11月の決算説明で、成膜の装置の生産リードタイムが8カ月で推移し、下期も変わらない見通しだと説明しました。ASMLは、2027年と2028年の供給の計画では顧客の需要を満たせないとしています。
アプライドマテリアルズの2026年10月期の中国向け売上高は93億3000万ドルで、前の期から9%増えた一方、全体に占める比率は30%から27%に下がりました(増加率は計算)。ラムリサーチの2026年7〜9月の売上高のうち、中国は35%でした。
東京エレクトロンの2026年7〜9月の中国向け売上高は3399億円で、4〜6月の2229億円から52%増えました(計算)。KOKUSAI ELECTRICは、7〜9月の中国地場メーカー向けの売上が前の四半期から64%増え、比率が35%になったと説明しています。
アプライドマテリアルズの保守・サービス部門(AGS)の2026年10月期の売上高は69億100万ドルで、前の期から20%増えました(計算)。ASMLの保守と改造の売上は、2026年7〜9月に32億8900万ユーロでした。
ASMLの2026年1〜9月の露光装置の販売台数は291台で、このうち25台が中古でした。中古の比率は8.6%(計算)で、四半期ごとに12台、5台、8台と増減しています。