ラピダスの装置の導入の歩み 2024年12月にEUVを搬入、2026年度は短TATの生産システムと搬送を試作ラインで検証
ラピダスは2024年12月18日、北海道千歳市のIIM-1でASMLのEUV露光装置NXE:3800Eの設置を始めました。2026年度の計画では、短TAT(短い製造期間)の生産システムの装置、搬送、生産管理を試作ラインに入れて検証します。
- 2024年12月18日、国内で初めて量産に使うEUV露光装置(ASMLのNXE:3800E)の設置をIIM-1で始めました。
- 2025年4月に試作ラインを動かし、300mmのウエハーで2nmのGAAトランジスタの動作を確かめました。
- 後工程の拠点RCSは、セイコーエプソンの千歳事業所内で2025年4月に装置の搬入を始め、2026年4月11日に本格稼働しました。
- 2026年度は、短TATの生産システム・搬送・生産管理のシステムを試作ラインに入れて検証し、欠陥密度の年度の目標を達成するとしています。
ラピダスは2027年度後半の2nm世代の量産をめざし、千歳市の工場「IIM-1」に装置を入れてきました。2024年12月にEUV露光装置の設置を始めてから、ほぼ2年がたちます。2026年4月11日に公表した年度計画では、量産に向けた生産システムの検証を今年度の柱にしています。
装置の導入の流れ
| 時期 | 出来事 |
|---|---|
| 2023年9月 | IIM-1の起工式 |
| 2024年10月 | 後工程の拠点(RCS)で、クリーンルームの工事を始める |
| 2024年12月18日 | IIM-1でEUV露光装置NXE:3800Eの設置を始める |
| 2025年4月 | IIM-1で試作ライン(パイロットライン)が稼働。RCSで装置の搬入を始める |
| 2025年度中 | 300mmのウエハーで2nmのGAAトランジスタの動作を確認。早期の顧客に試作用の設計キット(PDK)を提供 |
| 2025年12月 | RCSの一部が稼働。600mm角のパネルでRDLインターポーザーを試作 |
| 2026年4月11日 | IIM-1の隣に解析センターを開設。RCSが本格稼働 |
| 2026年度 | 短TATの生産システムの装置、搬送、生産管理のシステムを試作ラインに入れて検証 |
出典:ラピダスの発表(2024年12月18日、2026年4月11日の2件)。
全部を1枚ずつ処理する
EUVは波長13.5nmの光を使う露光装置で、ArF液浸の193nmより短い光で細かい回路を描きます。光を通すレンズの代わりに、反射型のマスクと鏡で光を導きます。ラピダスは2024年12月の発表で、EUVを量産に使うのは国内で初めてだと説明しました。千歳の新千歳空港で開いた式典には、ASMLのジム・クーンメン上級副社長も出ています。
ラピダスの生産方式の特徴は、全ての製造装置でウエハーを1枚ずつ処理することです。複数の枚数をまとめて流す工程を減らし、注文から出荷までの期間を縮める狙いがあります。会社はこれを「RUMS(Rapid and Unified Manufacturing Service)」と名づけています。2024年12月の発表の時点で、EUVのほかに先端の製造装置と、全自動の搬送システムを入れるとしていました。2026年度に検証する「短TATの生産システム」は、この仕組みの量産版にあたります。
後工程と解析の拠点もそろう
後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions(RCS)」は、IIM-1の近くにあるセイコーエプソン千歳事業所の中にあります。2025年4月に装置の搬入を始め、試作ラインをつくりました。600mm角のパネルで有機の絶縁材料を使ったRDLインターポーザーを試作し、会社は業界で初めてだとしています。2026年度は、2nm世代のチップ向けの2.xDと3Dのパッケージの製造技術を開発します。
同じ4月11日には、IIM-1の隣に解析センターを開きました。物理・化学の解析、電気の特性、信頼性の評価を受け持ちます。最先端の電子顕微鏡を置ける基準で設計し、耐震性能は建築基準法の1.5倍です。装置の台数は公表していません。
資金の手当て
装置を入れる資金は、国の研究委託と出資、民間の出資でまかないます。2026年2月27日には、情報処理推進機構(IPA)から1000億円、民間32社から1676億円、計2676億円の出資を受けたと発表しました。資本金と資本準備金の合計は2749億5000万円です。6月5日には、国が追加で1500億円を出資すると発表しています。
今後の注目点
- 2026年度の欠陥密度の目標を達成できるか。会社は数値の目標を公表していません。
- 顧客の設計に使う本番の設計キット(PDK)の公開。
- 小池淳義社長は2027年の量産開始を目標に掲げ、会社は2027年度後半からの量産をめざしています。
- Rapidus begins installation of Japan's first NXE:3800E EUV lithography machinery for semiconductor mass production(ラピダス、2024年12月18日)
- NEDOが2nm半導体の2026年度の計画と予算を承認(ラピダス、2026年4月11日)
- 解析センターとRapidus Chiplet Solutionsを開設(ラピダス、2026年4月11日)
- 政府と民間から約2676億円の出資(ラピダス、2026年2月27日)
- IIM-1の起工式(ラピダス、2023年9月)
- 情報処理促進法に基づく政府の追加出資(ラピダス、2026年6月5日)
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
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