メモリ増産で装置の売上の構成が変わる　東エレクの下期はメモリ向け49%、アプライドはDRAMが33%

AIのサーバーには、GPUのそばに積むHBMと、サーバーのDRAM、データをためるNANDフラッシュの3種類のメモリが大量に使われます。メモリの会社がこの増産に動いたことで、半導体の製造装置の会社の売上の中身も変わってきました。用途別の売上を開示している大手2社の数字を並べます。

東京エレクトロン　下期はメモリ向けが半分に

東京エレクトロンの新しい装置の売上と用途別の構成（会社の決算説明資料から）

期間	新規装置売上（億円）	DRAM	不揮発性メモリ	非メモリ
2025年7〜9月	4,550	27%	14%	59%
2026年4〜6月	5,313	32%	11%	57%
2026年7〜9月	7,344	34%	10%	56%
2026年10月〜2027年3月（予想）	15,600	35%	14%	51%

非メモリはロジック、ファウンドリーなど。保守などのフィールドソリューションの売上は含まない。

東京エレクトロンの7〜9月期の新しい装置の売上は、前期比38%増の7,344億円でした。DRAM向けは約2,497億円で、前年同期の約1,229億円の約2倍です（いずれも計算）。会社は10〜3月期に1兆5,600億円を見込み、DRAMと不揮発性メモリを合わせたメモリ向けを49%としています。2027年3月期の新しい装置の売上は、前期比59%増の見込みです。

同社は、メモリで受注を得ている工程も示しています。DRAMでは、記憶の部分（キャパシタ）の型をつくる絶縁膜のエッチングに加え、先端の世代では、1社の顧客で、回路の型（マスク）をつくる工程の標準の装置に選ばれました。NANDでは、深い穴（チャネルホール）を掘る極低温のエッチング装置の量産の受注が順調だとしています。

アプライド・マテリアルズ　DRAMが3割超

米アプライド・マテリアルズは、半導体の装置の売上を、顧客の用途で3つに分けて開示しています。11月12日に発表した2026年8〜10月期（2026年度第4四半期）の半導体システム部門の売上は79億9,600万ドルでした。用途別では、ファウンドリー・ロジックが58%、DRAMが33%、フラッシュが9%です。

アプライド・マテリアルズの半導体システム部門の用途別の構成（会社の決算の発表から）

用途	2025年8〜10月期	2026年8〜10月期	2026年度通年
ファウンドリー・ロジック	66%	58%	63%
DRAM	28%	33%	30%
フラッシュ	6%	9%	7%

部門の売上は前年同期の48億7,900万ドルから64%増えました（計算）。DRAM向けの金額に直すと、前年同期の約13.7億ドルから約26.4億ドルへ、約1.9倍です（計算）。フラッシュ向けは約2.9億ドルから約7.2億ドルで、約2.5倍の計算です。

メモリで増える装置

DRAMは、記憶の部分を細く高く作るため、縦に深い穴や溝を掘るエッチングと、その内側に薄い膜をつける成膜の工程が多くなります。NANDは、記憶の層を数百層積み、その全体を貫く穴を一度に掘ります。そのため、メモリの増産では、エッチングと成膜の装置の比率が上がりやすい構造です。東京エレクトロンが挙げたキャパシタのエッチングや極低温のエッチングは、この工程の装置です。

今後の注目点

• 東京エレクトロンは10〜3月期の新しい装置の売上を1兆5,600億円と見込んでいます。
• アプライド・マテリアルズの次の決算は、2026年11月〜2027年1月期の分です。