ReRAMとは　絶縁膜の中に電気の通り道を作って記憶する、マイコン向けの不揮発メモリ

ReRAM（Resistive Random Access Memory、抵抗変化メモリ）は、電気の流れにくさ（抵抗）の違いでデータを記憶するメモリです。電源を切っても中身が残る不揮発のメモリで、RRAMとも書きます。金属の酸化物を使う方式は、OxRAMと呼ばれます。

膜の中に細い通り道を作る

ReRAMの記憶の素子は、2つの電極の間に、酸化物などの薄い膜を挟んだ単純な構造です。膜に一定以上の電圧をかけると、膜の中に電気の通る細い道ができ、抵抗が下がります。逆向きの電圧をかけると道が切れ、抵抗が上がります。抵抗の低い状態を1、高い状態を0のように扱います。

材料と構造が単純なため、ロジック半導体の配線の層の間に作り込めます。従来、マイコンの中のプログラムを置くメモリにはフラッシュを組み込んできました。ところが組み込み型のフラッシュは、回路の線幅を細くしていくと作り込むのが難しくなります。その代わりの候補が、ReRAM、MRAM、相変化メモリです。

チップに組み込む不揮発メモリの候補

種類	記憶のしかた	採用の例
ReRAM	膜の中の電気の通り道の有無	オン・セミの65nmのBCD工程（技術移転中）
MRAM	磁石の向き	産業機器向けの単体品など
相変化メモリ	材料の結晶とアモルファスの切り替え	STマイクロの18nmのマイコン

ウィービット・ナノの動き

オーストラリア証券取引所に上場するウィービット・ナノは、ReRAMの技術を半導体会社に貸し出す会社です。2026年7月の発表によると、テキサス・インスツルメンツとオン・セミコンダクターが技術の移転を受けています。

オン・セミ向けは、電源やセンサーの半導体を作る65nmのBCD工程「Treo」に組み込みます。用途は車載、産業機器、AIデータセンターの電源などです。試作のチップは、オン・セミの米国の300mm工場で作りました。テキサス・インスツルメンツは、組み込み処理のチップを作る先端の工程にReRAMを入れる計画です。

ほかに3社の製品の設計が完成し、量産前の試作（テープアウト）に進みました。電池の管理とセキュリティの用途です。量産の前の試験と認定には、12〜18か月かかるとしています。

同社は2026年6月期の売上の見通しを「少なくとも1,350万豪ドル」に引き上げました。4〜6月期に顧客から受け取った現金は340万豪ドル、6月末の現金は1億6,700万豪ドルでした。

関連する用語

• BCD工程：アナログ、ロジック、高い電圧の素子を1つのチップに作る製造工程。
• テープアウト：設計を終え、製造に回すこと。
• MRAM：磁石の向きで記憶する不揮発メモリ。

オン・セミの工程での認定の作業は、2026年7月の時点で始まる直前でした。