HBM3Eとは　DRAMを12段積んで36GB、10〜12月期にHBM4へ主役交代

HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）は、DRAMのチップを縦に積み重ね、GPUのすぐ隣に置いて使うメモリの第5世代です。2024年から2026年にかけて、AI向けの半導体に載る主力のHBMでした。

12段に積んで、厚さは変えない

HBMは、薄く削ったDRAMのチップを重ね、チップを上下に貫く電極（TSV）でつなぎます。一番下には信号をまとめる土台のチップ（ベースダイ）を置きます。積む段数を増やすほど容量が増えますが、パッケージの中で許される高さは決まっています。

SKハイニックスは2024年9月26日、12段のHBM3Eの量産を始めたと発表しました。1枚3GBのDRAMを12段積み、容量は36GBです。8段品と同じ厚さに収めるため、DRAMのチップを従来より40%薄くしました。積んだチップの間を樹脂で埋める独自の方法（MR-MUF）で、反りを抑えたとしています。

HBM3EとHBM4の比べ方（SKハイニックスの発表から）

項目	HBM3E（12段）	HBM4
量産・準備の発表	2024年9月26日	2025年9月12日
1ピンあたりの速さ	毎秒9.6ギガビット	毎秒10ギガビット超
データの出入り口（I/O）	1,024本（計算）	2,048本
1個あたりの容量	36GB	―

HBM3EのI/Oの数は、HBM4で「前の世代の2倍の2,048本」になったというSKハイニックスの説明から逆算しました。HBM3Eの1個あたりの帯域は、9.6ギガビット×1,024本で毎秒約1.2テラバイトになります（計算）。

3社の立ち位置

HBMを作るのは、SKハイニックス、サムスン電子、マイクロンの3社です。SKハイニックスは10月28日、7〜9月期にHBM4の出荷が本格的に始まり、10〜12月期にHBM4が主力の製品になると説明しました。

マイクロンは9月30日、2027年のHBMの供給の大半について、前年より大きく高い価格で契約を終えたと説明しました。HBMの比率が上がったことで、クラウドメモリー部門の売上総利益率は83%と前期並みでした。サムスン電子は7〜9月期に、HBM4の販売が大きく増えたとしています。

関連する用語

• TSV（シリコン貫通電極）：チップに穴を開けて電極を通し、上下のチップをつなぐ技術。
• MR-MUF：積んだチップの隙間に樹脂を流し込み、まとめて固める方法。
• HBM4：HBMの第6世代。I/Oを2,048本に増やした。

SKハイニックスの10〜12月期決算は、例年1月下旬に発表されます。