MOSFETとは　ゲートの電圧で電子の通り道を開け閉めする、最も多く作られるトランジスタ

MOSFETは、ゲートと呼ぶ電極にかけた電圧で、電流の通り道を開けたり閉じたりするトランジスタです。名前は、金属（Metal）、酸化膜（Oxide）、半導体（Semiconductor）を重ねた構造から来ています。今の半導体で最も多く作られている素子で、使い道によって大きさと作り方が大きく違います。

ゲートの電圧で通り道を作る

MOSFETには、電流が入るソースと、出ていくドレインがあり、その間の半導体の上に、薄い絶縁の膜をはさんでゲートが載っています。ゲートに電圧をかけると、膜の下に電子が集まり、ソースとドレインの間に電子の通り道（チャネル）ができます。電圧をやめると通り道は消え、電流は止まります。

ゲートは絶縁の膜で隔てられているため、操作にほとんど電流が要りません。この性質が、多数の素子を並べても電力を抑えられる理由です。電子で動くnMOSと、正の電荷で動くpMOSを組にしたものをCMOSと呼び、CPUやメモリの回路の基本になっています。

計算用とパワー用

2つの使い道のMOSFET

項目	計算用（ロジック）	電源用（パワーMOSFET）
役割	0と1の計算、記憶	電力の変換、モーターの駆動
大きさ	ナノメートル単位、1チップに数十億個	1チップに1素子のものが多い
形の工夫	FinFET、GAA（ゲートで四方を囲む）	溝の中にゲートを埋める縦型の構造
材料	シリコン	シリコン、SiC、GaN

計算用のMOSFETは、小さくするほど1枚のウエハーから多くの回路が取れ、速く動きます。小さくなりすぎて電流が漏れる問題に対し、通り道を板の形にしたFinFET、さらにゲートで四方を囲むGAAへと形を変えてきました。

電源用のパワーMOSFETは、電流を縦に流す構造にして、大きな電流を扱えるようにしています。シリコンのパワーMOSFETは、サーバーやパソコンの電源など比較的低い電圧で使います。より高い電圧ではIGBTか、SiCで作るMOSFETを使います。SiCのMOSFETは電気自動車のインバーターや、データセンターの電源に広がっています。

作っている会社の数字

独インフィニオンは11月10日の決算説明で、7〜9月期の車載部門の売上の伸びは主にマイコン、スマートパワーの部品、MOSFETによるものだと説明しました。SiCのパワー半導体の2026年9月期の売上は7億ユーロで、前の期より10%増えました。2027年9月期は10億ユーロを大きく超えると見ています。会社は11月9日に、300mmのウエハーでSiCのパワー半導体の素子を作ったと発表しました。

米オン・セミコンダクターのパワー半導体の部門（PSG）は、SiCとシリコンのMOSFETなどを扱います。7〜9月期の売上は8億8,990万ドルで、前年同期比21%増えました。全社の売上の約52%です。日本ではローム、東芝、三菱電機、富士電機などがパワーMOSFETを作っています。

パワーMOSFETにかかわる数字

会社	対象	期間	売上
インフィニオン	SiCのパワー半導体	2026年9月期	7億ユーロ
インフィニオン	車載部門	2026年7〜9月	20億8,900万ユーロ
オン・セミコンダクター	パワー半導体の部門（PSG）	2026年7〜9月	8億8,990万ドル

関連する用語

• IGBT：MOSFETの入り口とバイポーラの通り道を組み合わせた、高い電圧向けの素子。
• GAA：ゲートで電子の通り道を四方から囲む、最先端の計算用のMOSFETの形。
• SiC：炭化ケイ素。シリコンより高い電圧と熱に強いパワー半導体の材料。

オン・セミコンダクターは、10〜12月期の売上を17億1,500万〜18億1,500万ドルと予想しています。