データセンターの電力密度とは 1ラック20キロワットから120キロワットへ、2027年には1メガワット
データセンターの電力密度は、ラック1つあたりの電力で表します。エヌビディアによると、これまでのデータセンターは1ラック約20キロワットでしたが、GB200 NVL72は120キロワットで、2027年には1メガワットのラックを見込んでいます。
アナログICや個別半導体を手がける。SiC(炭化ケイ素)のパワー半導体に力を入れ、電気自動車や産業機器向けに供給している。
| 期間 | 売上 | 前年比 | 営業利益 | 前年比 | 出典 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026年7〜9月期 | 1,437億円 | +12.3% | 78.5億円 | +5.3% | 資料 |
| 2026年4〜6月期 | 1,357億円 | +16.8% | 96.3億円 | +4841.0% | 資料 |
| 2026年1〜3月期 | 1,116億円 | +7.5% | 11.6億円 | — | 資料 |
| 2025年10〜12月期 | 1,253億円 | +11.2% | 20.5億円 | — | 資料 |
| コード | 6963 |
|---|---|
| 上場 | 東証プライム |
| 本社 | 京都府京都市右京区 |
| 分野 | パワー・アナログ・マイコン |
| 決算期末 | 3月 |
| 配当(会社予想) | 1株 50円(2027年3月期予想) |
| 発行済株式数 | 4億376万株(2026年9月末、自己株式を含む) |
| 主な製品 | SiCパワー半導体・アナログIC・個別半導体 |
データセンターの電力密度は、ラック1つあたりの電力で表します。エヌビディアによると、これまでのデータセンターは1ラック約20キロワットでしたが、GB200 NVL72は120キロワットで、2027年には1メガワットのラックを見込んでいます。
熱設計は、チップの熱を許容温度の中で外へ運び出す道筋と能力を決める作業です。エヌビディアはGPU72基を1つのラックに収めるGB200 NVL72を、液体で冷やす前提で設計しています。
寄生容量は、回路の部品の間に意図せずできるコンデンサーの成分です。ロームのAIサーバー向けMOSFET、RY7P250BMの入力容量は標準で1万1,300pFあり、ゲートを動かすたびにこれを充電します。
リーク電流は、トランジスタを切った状態でも流れる電流で、動いていない回路でも電力を使う原因になります。インテルは2007年、ゲートの材料を替えてゲートを抜ける漏れを10分の1未満にしたと発表しました。
しきい値電圧は、トランジスタがオフからオンに切り替わる境目のゲートの電圧です。ロームのAIサーバー向けの100V品RY7P250BMでは、2.0〜4.0Vの範囲に入るよう決められています。
ロームは2027年3月期の通期予想を、売上高5500億円(前期比14.3%増)、営業利益500億円(4.6倍)に上方修正しました。上期の営業利益174億87百万円は新しい予想の35.0%で、残りの325億円を下期に積む計画です(計算)。
国内のメモリICの在庫は、統計の上でも大きく減っています。経済産業省の鉱工業指数で、メモリICの在庫指数は2026年9月に45.0となり、前年同月より35.0%低い水準でした(計算)。在庫を出荷で割った在庫率指数は69.6まで下がっています。
品質の知識を測る日本規格協会のQC検定で、2026年3月の2級は6644人が受け、1804人が合格しました。合格率は27.15%で、前回の31.33%から下がりました。
半導体を含む電子部品・デバイス・電子回路製造業で働く人の年収は、2025年に602.7万円でした(月給と賞与から計算)。大学院卒は888.7万円で、高校卒の525.1万円を363.6万円上回ります(計算)。
九州のIC(集積回路)の生産額は3年連続で1兆円を超え、2024年に全国の約50%を占めました。政府の計画は、2040年に九州のIC生産額を1.6兆円、半導体製造装置の生産額を1兆円にする目標を掲げます。
MOSFETは、ゲートにかけた電圧で電流を入り切りするトランジスタで、CPUの計算の素子にも電源の部品にも使います。独インフィニオンの2026年9月期のSiC(炭化ケイ素)のパワー半導体の売上は7億ユーロで、前の期より10%増えました。
パワー半導体は、電力を変換するスイッチの役目をする半導体です。大手の独インフィニオン・テクノロジーズの2026年9月期の売上高は163億5,300万ユーロで、前期比12%増えました。
SiCは、シリコンと炭素からなる化合物の半導体で、ロームによると絶縁破壊に耐える電界の強さはシリコンの約10倍です。レゾナックは2026年9月、直径300mmのSiCの単結晶の成長と基板の加工に成功したと発表しました。
GaNは、ガリウムと窒素の化合物の半導体で、シリコンより速く電気を切り替えられます。インフィニオンは2026年10月27日、300mmのGaNの量産工場に約11億ユーロを投じると発表しました。
パワー半導体は、電気を変換・制御する半導体です。ロームの技術解説によると、SiCは絶縁破壊の電界の強さがシリコンの約10倍あり、高い電圧に耐える素子を薄く作れます。
財務省の貿易統計によると、9月の半導体等電子部品の輸出は9,336億円で、前年同月より49.4%増えました。最大の輸出先の台湾向けは2,453億円で、前年同月のほぼ2倍です。
独インフィニオン・テクノロジーズは、2027年9月期の売上高が2割超増えて約200億ユーロになると予想しました。データセンターの電源向けが40億ユーロ近くに膨らむ見通しで、SiCとGaNの生産能力も広げます。
ロームは、LSIとパワー半導体などの半導体素子を主力とし、2026年3月期の売上高4811億円の約半分が自動車向けでした。構造改革とSiC事業の収益化を進め、2027年3月期の営業利益予想を300億円から500億円に引き上げました。