寄生容量とは 電極や配線の間に意図せずできる容量、ロームの100V品は入力容量1万1300pF
寄生容量は、回路の部品の間に意図せずできるコンデンサーの成分です。ロームのAIサーバー向けMOSFET、RY7P250BMの入力容量は標準で1万1,300pFあり、ゲートを動かすたびにこれを充電します。
- 寄生容量は、2つの導体が絶縁物をはさんで向き合うと、どこにでもできてしまうコンデンサーの成分です。
- トランジスタを切り替えるたびに、この容量を充電・放電する必要があり、時間と電力がかかります。
- MOSFETのデータシートでは、入力容量(Ciss)、出力容量(Coss)、帰還容量(Crss)の3つで示します。
- IEEEの国際ロードマップは、微細化で全体の負荷に占める寄生成分の割合が増えると指摘しています。
寄生容量は、回路の中で意図していないのにできてしまう容量です。2つの導体が絶縁物をはさんで向き合うと、そこはコンデンサーと同じ働きをします。トランジスタのゲートとドレインの間、隣り合う配線の間など、チップの中のあらゆる場所にあります。
なぜ問題になるか
トランジスタをオンにするには、ゲートの電圧を上げる必要があります。そのとき、ゲートにつながる寄生容量に電荷をためなければなりません。オフにするときは、その電荷を抜きます。容量が大きいほど、この出し入れに時間がかかり、切り替えが遅れます。
電力にも響きます。デジタル回路が切り替えのたびに使う電力は、容量、電圧の2乗、切り替えの回数(周波数)にほぼ比例します。同じ電圧と周波数なら、寄生容量を減らした分だけ電力が減ります。
データシートの3つの容量
ロームの用語集によると、入力容量(Ciss)はドレインとソースを交流的に短絡してゲートとソースの間で測った寄生容量です。出力容量(Coss)はゲートとソースを短絡してドレインとソースの間で測り、帰還容量(Crss)はソースを接地してドレインとゲートの間で測ります。
| 項目 | 条件 | 標準値 |
|---|---|---|
| 入力容量 Ciss | VGS=0V、VDS=50V、1MHz | 11,300pF |
| 出力容量 Coss | 同上 | 1,760pF |
| 帰還容量 Crss | 同上 | 55pF |
| ゲートの総電荷量 Qg | VGS=10V | 170nC |
| オンの遅れ時間+立ち上がり時間 | VDD約50V、ID=50A | 72ns+90ns |
| オフの遅れ時間+立ち下がり時間 | 同上 | 195ns+200ns |
この品は、オン抵抗を1.43mΩ(標準)まで下げた大電流用の部品です。チップの面積を大きくすると抵抗は下がりますが、向き合う面積が増えて容量は大きくなります。抵抗と容量は引き換えの関係にあり、用途に合わせて釣り合いを決めます。データシートでは、入力容量に6,780〜15,900pFの設計上の保証の幅を示しています。
チップの中の寄生容量
大規模なロジックのチップでは、トランジスタの容量に加え、配線の間の容量が大きくなります。配線の間隔が狭まるほど、隣の配線と向き合う距離が縮み、容量が増えるためです。IEEEの国際ロードマップ(IRDS)の2021年版は、寸法の縮小で全体の負荷に占める寄生成分の割合が増え、性能と電力の改善が小さくなると書いています。配線の間に誘電率の低い材料(low-k)を使うのは、この容量を減らすためです。
関連する用語
- 配線遅延:配線の抵抗と容量で信号が遅れること。
- low-k材料:配線の間の容量を減らす、誘電率の低い絶縁膜。
- ゲート電荷量(Qg):ゲートを決まった電圧まで上げるのに要る電荷。
- スイッチング損失:切り替えのたびに失われる電力。
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
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