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SRAMとは 6個のトランジスタで1ビット、Groqの新チップは500MBを積む

SRAMは、電源が入っている間は値を保ち続ける、速いメモリの回路です。エヌビディアによると、Groqの技術を使う推論向けの半導体「Groq 3 LPU」は、1チップに500MBのSRAMを積み、毎秒150テラバイトでデータを読み書きします。

ポイント
  • SRAMは、ふつう6個のトランジスタで1ビットを記録するメモリの回路です。書き直しが要らず、DRAMより速く読めます。
  • その代わり場所を取り、容量あたりの値段が高いため、CPUやGPUのキャッシュとして小さく使われてきました。
  • Groqは、外付けのメモリを使わずSRAMだけで推論する半導体を作り、エヌビディアが2025年12月にその技術の使用権を得ました。
  • エヌビディアのラック「LPX」は256個の推論チップで合計128GBのSRAMを持ち、帯域は毎秒40ペタバイトです。

SRAM(Static Random Access Memory)は、半導体のチップの中に作る速いメモリです。「スタティック(静的)」は、電源が入っている限り、値を書き直さなくても保てるという意味です。CPUやGPUのキャッシュやレジスタの多くはSRAMで作られています。

6個のトランジスタで1ビット

一般的なSRAMは、6個のトランジスタで1ビットを覚えます。4個で2つの反転の回路を輪につなぎ、0か1のどちらかの状態に落ち着かせます。残りの2個は、読み書きの時に外とつなぐ門です。

一方、PCのメインのメモリやHBMに使うDRAMは、1個のトランジスタと1個のコンデンサで1ビットを覚えます。コンデンサの電気は少しずつ漏れるため、定期的に書き直す(リフレッシュ)必要があります。

SRAMとDRAMの違い
項目SRAMDRAM(HBMを含む)
1ビットの部品トランジスタ6個トランジスタ1個とコンデンサ1個
書き直し不要定期的に必要
速さ速いSRAMより遅い
同じ面積での容量小さい大きい
作る場所計算の回路と同じチップ別のチップ(専用の工場)

SRAMは計算の回路と同じ工程で作れます。TSMCなどの先端の工場で作るロジックのチップの中に、そのまま組み込めます。一方で、1ビットあたりの面積が大きく、チップの面積の多くをSRAMが占めることもあります。エヌビディアのH100は、GPU全体で使うL2キャッシュが50MBで、外付けのHBMの80GBとは大きな開きがあります。

SRAMだけで推論する半導体

この常識を逆手に取ったのが、米Groq(グロック)です。外付けのHBMを使わず、チップの中のSRAMにモデルの重みを置きます。同社の資料によると、最初の世代のチップはSRAMが230MB、チップ内の帯域は最大で毎秒80テラバイトです。1チップに入らない大きなモデルは、多数のチップに分けて置きます。

Groqは2025年12月24日、エヌビディアと推論技術の非独占の使用許諾の契約を結んだと発表しました。創業者のジョナサン・ロス氏らがエヌビディアに移り、Groqは独立した会社として推論のクラウドの事業を続けます。

エヌビディアは2026年3月16日の技術解説で、Groqの技術を使う「Groq 3 LPU」とラック「LPX」の中身を示しました。1チップのSRAMは500MB、帯域は毎秒150テラバイトです。1つのラックに256個を載せ、SRAMは合計128GB、帯域は毎秒40ペタバイトになります。Rubin GPUが入力の読み込みや注意機構の計算を受け持ち、LPXは答えを1語ずつ作る段の一部を受け持つ分担です。エヌビディアは、GB200 NVL72と比べ、1メガワットあたりの推論の処理量が最大35倍になるとしています。

米Cerebras(セレブラス)は、直径30センチのウエハーをまるごと1つのチップにする方法で、大量のSRAMを積みます。同社の現在のチップは面積が4万6,225平方ミリメートル、トランジスタは4兆個で、メモリの帯域を毎秒43.2ペタバイトとしています。

関連する用語

  • DRAM:コンデンサに電気をためて記録するメモリ。HBMもDRAMの一種。
  • キャッシュ:よく使うデータを計算のそばに置く小さなメモリ。中身はSRAM。
  • LPU:Groqが名付けた、言語モデルの推論向けの半導体。

エヌビディアは、LPXの1ユーザーあたりの生成の速さについて、毎秒1,000語に近づける方向を示しています。

この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。

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