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ナノインプリントとは はんこのように型を押して回路を作る、キヤノンは2027年の量産適用をめざす

ナノインプリントは、回路の模様を刻んだ型を、はんこのようにレジストに押し付けて回路を作る技術です。キヤノンの装置は最小14ナノメートルの線を作れ、同社は2027年の量産への適用をめざしています。

ポイント
  • ナノインプリントは、模様を刻んだ型をウエハーのレジストに押し付け、回路の模様を作る技術です。
  • キヤノンのFPA-1200NZ2Cは最小線幅14nmで、同社は5nmノード相当としています。
  • キヤノンは2026年6月に評価中の顧客へ装置を追加で出荷し、顧客のウエハーで検証を進めています。
  • 型はフォトマスクの会社が作ります。DNPは、ナノインプリントを最先端の分野の1つに挙げています。

ナノインプリント(NIL)は、回路の模様を刻んだ型(マスク)を、ウエハーに塗ったレジストに直接押し付けて模様を作る技術です。光を当てて模様を写す露光とは、考え方がまったく違います。キヤノンは2023年10月に、この方式の半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売し、投影露光と違う方式の装置を世界で初めて実用化したとしています。

光学系を通さない

キヤノンの説明では、露光装置はマスクを通した光をレンズや鏡で縮めて写します。ナノインプリントは、マスクとウエハーの間に光学系がないため、マスクの細かい模様をそのまま再現できるのが強みです。平面の模様だけでなく、立体の複雑な模様も1回の押し付けで作れます。

型は写す模様と同じ大きさで作ります。露光のように縮めて写さないため、型そのものに最終の細かさの模様を刻む必要がある点が、露光との違いです。キヤノンは、マスクを改良すれば10ナノメートルの線(2ナノメートルノード相当)も作れる見込みだとしています。

FPA-1200NZ2Cの主な仕様(キヤノンの製品情報から)
項目値
最小線幅14nm(5nmノード相当)
重ね合わせの精度4nm以下
1回で作る範囲26mm×33mm
マスクの大きさ6インチ
ウエハー300mm

キヤノンは、5nmノードの線幅で、投影露光の装置より消費電力を大幅に減らせるとしています。具体的な数値は示していません。

量産に向けた歩み

キヤノンは2024年9月26日、米テキサス州の半導体の共同研究の団体TIE(Texas Institute for Electronics)に装置を出荷しました。TIEは2021年に設立され、テキサス大学オースティン校が支えています。

2026年の決算説明では、評価と検証をしている顧客に6月に装置を追加で出荷し、2027年の量産への適用に向けて、顧客のウエハーを使う生産の検証に移ったと説明しました。10月には、追加で出荷した装置の立ち上げを終え、量産に向けて生産性を上げる検討を進めているとしています。複数の顧客が量産に向けた検証を進めています。

型を作る会社

ナノインプリントの型は、フォトマスクの技術で作ります。DNPは、2026年4〜9月の決算短信で、EUV用のフォトマスクとナノインプリントを最先端の分野として挙げ、事業を広げる方針を示しました。テクセンドフォトマスクも、ナノインプリント用の型を製品の1つにしています。

関連する用語

  • フォトリソグラフィ:光でマスクの模様を写す、今の主流の方法。
  • フォトマスク:回路の模様を描いた原版。ナノインプリントでは型になります。
  • 電子線描画:電子のビームで模様を描く技術。型やマスクを作るのに使います。

この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。

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