TCボンダーとHBM　熱と圧力でDRAMを1枚ずつ積む　ASMPTはTCB受注が過去最高、SKハイニックスは14社と長期契約

HBM（広帯域メモリ）は、DRAMのチップを8枚、12枚と縦に積み、GPUのすぐ横に置いて大量のデータを速く出し入れするメモリです。積んだチップは、シリコンを上下に貫く電極（TSV）と、チップの表面の小さな突起（マイクロバンプ）でつながります。この突起を1段ずつ確実につなぐ装置が、TCボンダーです。

TCボンダーの仕組み

一般のフリップチップの接合では、チップを基板に並べた後、炉でまとめて熱してはんだを溶かします。チップが大きく薄くなると、炉の熱で反ったり、位置がずれたりしやすくなります。TCボンダーは、チップを1枚ずつ吸い付けたヘッドで正しい位置に置き、その場で熱と圧力をかけて接合します。HBMのように薄いチップを何段も重ねる品では、この方法で反りとずれを抑えます。

HBMの積み上げの主な流れ

順番	工程	主な装置
1	TSVと突起をつくったDRAMのウエハーを試験する	テスター、プローブカード
2	裏を削って薄くし、チップに切り分ける	グラインダー、ダイサー
3	チップを1枚ずつ積んで接合する	TCボンダー
4	チップのすき間を樹脂で埋め、全体を包む	モールド装置
5	積んだ後の品を試験する	テスター

チップのすき間の埋め方には、フィルム状の材料を挟んで接合する方法と、積んだ後に液状の樹脂を流し込む方法があり、メーカーによって選び方が違います。TOWAは、HBM向けにすき間の充填と封止を同時に行える圧縮成形の装置を出しています。

HBMの増産

SKハイニックスの2026年7〜9月期の売上は104兆6155億ウォンで前年同期比328%増、営業利益は83兆3338億ウォンでした。HBM4の出荷が本格的に始まり、10〜12月期にはHBM4が出荷量と売上の両方でHBM3Eを上回る主力になると見込んでいます。HBM4を増やすため、M15Xの工場を年末までに最大の能力に引き上げます。

SKハイニックスの2026年7〜9月期

項目	数字
売上	104兆6155億ウォン
営業利益	83兆3338億ウォン
営業利益率	80%
長期契約を結んだ主要顧客	14社
長期契約が占める2027〜28年の生産能力	50%超

長期契約は大手のクラウド事業者などとの間で結び、期間は通常5年です。積むチップの数が増え、工場の能力が増えるほど、TCボンダーの台数も要ります。

装置メーカーの動き

ASMPTの2026年7〜9月期の受注高は11億2800万ドルで、前年同期比137.9%増と過去最高でした。TCボンダーでは、大手の先端ロジックの会社の組み立てを請け負う会社から、基板にチップを載せる用途の大型の受注を得ました。大手の半導体メーカーから、ウエハーにチップを載せる用途の追加の受注もありました。蘭Besiも、TCボンダーとハイブリッドボンダーの両方をつくっています。

HBMの次の世代では、突起をなくすハイブリッドボンディングへの切り替えも検討されています。TCボンダーとハイブリッドボンダーのどちらがどの世代で使われるかは、各社の装置の選び方を左右します。

今後の注目点

• SKハイニックスは、龍仁の第1期の工場が本格稼働に入る2027年に、投資が大きく増えると見ています。
• ASMPTは2026年10〜12月期の受注を、7〜9月期の過去最高を下回るものの前年同期を大きく上回ると見込みます。