半導体メーカーの初任給の比較 修士了はキオクシア36万4900円、ルネサス32万円、ラピダス31万2000円
半導体の大手5社の採用サイトでは、修士了の初任給はキオクシアの36万4900円が最も高く、ルネサスエレクトロニクスは32万円、ラピダスは31万2000円でした。ディスコは手当を除く額で29万3420円ですが、全社員一律の手当10万円と年4回の賞与があります。
半導体用シリコンウエハーの専業メーカー。300mmの大口径ウエハーが主力。主な顧客はメモリやロジックの半導体メーカー。
| 期間 | 売上 | 前年比 | 営業利益 | 前年比 | 出典 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026年7〜9月期 | 1,175億円 | +18.6% | 20.0億円 | — | 資料 |
| 2026年4〜6月期 | 1,136億円 | +10.4% | -11.0億円 | — | 資料 |
| 2026年1〜3月期 | 1,014億円 | -1.0% | -52.0億円 | — | 資料 |
| 2025年10〜12月期 | 1,052億円 | +5.2% | — | — | 資料 |
| コード | 3436 |
|---|---|
| 上場 | 東証プライム |
| 本社 | 東京都港区 |
| 分野 | 材料・ウエハー |
| 決算期末 | 12月 |
| 配当(会社予想) | 1株 20円(2026年12月期予想) |
| 発行済株式数 | 3億5,017万5,139株(2026年9月末、自己株式を含む) |
| 主な製品 | シリコンウエハー |
半導体の大手5社の採用サイトでは、修士了の初任給はキオクシアの36万4900円が最も高く、ルネサスエレクトロニクスは32万円、ラピダスは31万2000円でした。ディスコは手当を除く額で29万3420円ですが、全社員一律の手当10万円と年4回の賞与があります。
KOKUSAI ELECTRICは、装置の生産リードタイムが8カ月で、下期も変わらない見通しだと説明しています。テスターのアドバンテストは、2027年も業界全体で供給の制約が続き、最終の顧客の需要が供給を上回るとみています。
信越化学工業は、既存の契約の量を超える分や契約のない顧客向けのシリコンウエハーについて、10月から値上げした価格を適用しています。レゾナックは、半導体・電子材料の2026年1〜9月のコア営業利益の増加のうち158億円を販売価格の差と説明しました。
SUMCOが11月11日に示した資料で、2026年12月期の通年は売上高4395億円(前期比299億円増)、営業損失33億円の見込みとなりました。1〜9月の営業損益は44億円の赤字で、10〜12月期に10億円の黒字を見込みます。
世界のシリコンウエハーの出荷面積は、2023年に14.3%減ったあと、2025年に5.8%増の12,973百万平方インチまで戻りました。2026年7〜9月期は前年同期比13.4%増で、伸びが強まっています。
国立高等専門学校機構は2026年3月17日、佐世保高専の半導体人材育成センター(S-PORT)の開所式を開き、産官学の約200人が集まりました。熊本高専と佐世保高専を拠点に、全国の高専へ半導体の授業と実習を広げる取り組みの中核です。
経済安全保障推進法で指定した16の特定重要物資の支援予算は、総額2兆5643億円です。半導体は8062億円で全体の約3割を占め、蓄電池に次ぐ規模です。2026年11月4日までに半導体で30件の計画を認定しました。
2022年に施行された経済安全保障推進法の改正法が、2026年9月18日に施行されました。半導体などの特定重要物資の支援を受ける企業には、中核の技術の流出を防ぐ措置が認定の条件として課されています。
九州のIC(集積回路)の生産額は3年連続で1兆円を超え、2024年に全国の約50%を占めました。政府の計画は、2040年に九州のIC生産額を1.6兆円、半導体製造装置の生産額を1兆円にする目標を掲げます。
SUMCOは11月11日の決算説明会で、300mmのシリコンウエハーについて、AI向けの需要が強く顧客の求める量に応えられない状況になりつつあると説明しました。独シルトロニックの2026年7〜9月の売上高は3億5540万ユーロで、4〜6月から10.5%増えました。
ウエットエッチングは、薬液に触れさせて膜を溶かす方法で、洗浄と並ぶ「ウエット」の工程の1つです。芝浦メカトロニクスは、1枚ずつ処理する高温のリン酸のエッチング装置が先端品の量産に使われているとしています。
SOIウエハーは、シリコンの層と支えの基板の間に酸化膜を挟んだウエハーです。仏ソイテックの2026年4〜6月期の売上高は1億1,300万ユーロで、AI向けを含む部門が前年同期比47%増えました。
エピタキシャル成長は、ウエハーの表面に、下地と同じ原子の並びの薄い単結晶の膜を育てる技術です。SUMCOによると、シリコンでは約1200℃に熱した炉に塩化ケイ素のガスを流して膜を作ります。
CZ法は、るつぼで溶かしたシリコンから単結晶の円柱を引き上げる方法で、シリコンウエハーの主な作り方です。原料の多結晶シリコンの純度は99.999999999%(11ナイン)です。
シリコンウエハーは、半導体の回路を作る土台の円板です。SUMCOの2026年7〜9月期の売上高は1,175億円で、300mmは先端ロジックとメモリー向けで出荷量が大きく増えました。
半導体の回路は、シリコンのウエハーの上に、光に反応するレジストや高純度のガスを使って作ります。先端品では、EUV(波長13.5ナノメートル)の光に合わせたレジストなど、材料にも新しい技術が要ります。
米国は通商拡大法232条に基づき、2026年1月15日から一部の先端AI半導体に25%の関税をかけています。8月には半導体の素材であるポリシリコンとその派生品に15%の追加関税を決め、12月4日から適用します。
世界のシリコンウエハーの出荷面積は、2026年7〜9月に37億5600万平方インチとなり、前年同期から13.4%増えました。信越化学工業は需給が引き締まっているとして、一部の顧客に10月から値上げ後の価格を適用しています。
SUMCOの2026年7〜9月期の営業利益は20億円となり、4〜6月期の11億円の赤字から黒字に転じました。売上高は1175億円で、AI・データセンター向けの300mmウェーハの出荷が大きく増えました。