High-NAとは　開口数0.55のEUV、ASMLは上期に3台・11.9億ユーロを販売

High-NAは「高い開口数」という意味で、半導体ではASMLのEUV露光装置の新しい世代（EXEシリーズ）を指します。開口数（NA）は、光学系が光を集める力です。NAが大きいほど、細かい模様を写せます。

NAを0.33から0.55に

ASMLの説明では、写せる最小の寸法は「k1×波長÷NA」で決まります。EUVの波長は13.5ナノメートルのままで、NAを上げて解像度を高めるのがHigh-NAです。今のEUV装置（NXEシリーズ）のNAは0.33で解像度は13ナノメートル、High-NA装置（EXEシリーズ）はNAが0.55で解像度は8ナノメートルです。

EUVの光はガラスのレンズを通らないため、装置は多層の膜を重ねた鏡で光を運びます。ASMLの光学系を作るのは、ドイツのツァイスです。High-NAの最も大きな鏡は直径1メートルで、表面の凹凸は数十ピコメートルに抑えています。

EUV露光装置の2つの世代（ASMLの説明から）

項目	NXE（従来）	EXE（High-NA）
開口数（NA）	0.33	0.55
解像度	13nm	8nm
2026年1〜6月の販売台数	29台	3台
同 販売額	67億850万ユーロ	11億8,890万ユーロ
1台あたりの販売額	約2.3億ユーロ（計算）	約4.0億ユーロ（計算）

工程を減らす狙い

ASMLによると、2台目のHigh-NA装置のEXE:5200Bは、1回の露光で従来のNXEより1.7分の1の小さな寸法を写せ、トランジスタを2.9倍の密度で並べられます。像のコントラストも40%高い設計です。会社は、量産の工程の複雑さを減らせると説明しています。従来の装置で同じ細かさを得るには、1つの層を何回かに分けて写す必要がありました。

マスクやペリクルも作り直す

シノプシスの解説によると、High-NAの装置はマスクの模様を縮める倍率が横4倍・縦8倍で、1回で写せる範囲は従来の半分になります。大きなチップは2枚のマスクに分けて写し、つなぎ合わせる必要が出てきました。ASMLは2026年10月の決算説明の資料で、TSMCとともにHigh-NA向けのフォトマスクを12インチに大きくする取り組みを示し、2枚のマスクで写す場合の生産性を40%超上げられるとしています。HOYAは、High-NA向けの12インチの大きなマスクのブランクスの実現に向け、顧客と検証を進めています。三井化学は、High-NAにも対応するCNTのペリクルの設備を作りました。

関連する用語

• 開口数（NA）：光学系が光を集める力。
• 多層膜ミラー：EUVの光を反射させる、薄い膜を100層以上重ねた鏡。
• マルチパターニング：1つの層を何回かに分けて写す方法。

ASMLの2026年10〜12月期の売上高の見通しは142億〜152億ユーロです。