i線露光とは 水銀ランプの波長365ナノメートル、キヤノンは2026年に155台
i線露光は、水銀ランプの波長365ナノメートルの光を使う、古くからある露光の方式です。キヤノンは2026年に、半導体露光装置221台のうち155台をi線の装置で販売する見通しです。
- i線露光は、水銀ランプが出す光のうち、波長365nmの「i線」を使う露光です。
- ASMLによると、i線の装置は1マイクロメートルより細かい模様を写せるようにし、最終的に220nmまで縮めました。
- キヤノンの2026年のi線装置の販売見通しは155台で、半導体露光装置全体の7割です(計算)。
- キヤノンは、先端パッケージの配線向けに、52mm×68mmを一度に写せるi線の装置も出しています。
i線露光は、水銀ランプの光から波長365ナノメートルの成分を取り出して使う露光です。水銀ランプの光にはいくつかの強い波長があり、436ナノメートルを「g線」、365ナノメートルを「i線」と呼びます。レーザーを使うKrFやArFより前の世代の光です。
g線からi線へ
ASMLの説明では、g線の装置は1マイクロメートル(1,000ナノメートル)までの模様を写せました。紫外線のi線を使うことで1マイクロメートルより細かくなり、最終的に220ナノメートルまで写せるようになりました。東京応化工業は1987年にi線用のポジ型レジストを製品にしています。
今のi線の装置の多くは、1回で写す範囲を区切って、ウエハーを少しずつ動かしながら繰り返し写す「ステッパー」です。最先端の工程には使えませんが、細かさのそれほど要らない層に使われます。キヤノンは、200mm以下の基板でパワーデバイスなどを作る向けの低いNAのi線装置も出しています。
| 会社 | 機種 | NA | 解像度 | 対応ウエハー |
|---|---|---|---|---|
| キヤノン | FPA-5550iZ2 | 0.57〜0.45 | 350nm以下 | 200mm・300mm |
| キヤノン | FPA-5520iV(後工程向け) | 0.18〜0.15 | 1.5µm以下 | 300mm |
| ニコン | NSR-SF155 | 0.62 | 280nm以下 | 200mm・300mm |
| ニコン | NSR-2205iL1 | 0.45 | 350nm以下 | 150mm・200mm |
ASMLのi線装置TWINSCAN XT:400Mは、重ね合わせの精度がウエハー全体で20nm以下としています。
先端パッケージでも出番
i線は、チップを作った後の工程でも使われます。キヤノンのFPA-5520iVは、チップを並べ直して樹脂で固めた基板に配線を写す装置です。種類の違うチップを1つのパッケージにまとめる用途を想定し、オプションで52mm×68mmの広い範囲を一度に写せます。解像度はオプションで0.8マイクロメートル以下にできます。
キヤノンの販売の7割
キヤノンの2026年の半導体露光装置の販売見通しは221台で、うちi線が155台、KrFが66台です。i線は全体の70%にあたります(計算)。7〜9月期のi線の販売は28台でした。ASMLの2026年1〜6月のi線の装置の販売は20台、1億1,310万ユーロで、前年同期の27台から減りました。東京応化工業は、g線・i線用のレジストで2025年の出荷量の世界シェアが25.3%で1位だとしています(富士キメラ総研の調査をもとに同社が計算)。
関連する用語
- ステッパー:区画ごとにウエハーを動かして繰り返し写す露光装置。
- KrF露光:i線の次の世代。波長248nmのレーザーを使います。
- 先端パッケージ:複数のチップを1つにまとめて、性能を上げる組み立ての技術。
- Light and lasers(ASML、2026年11月時点)
- DUV lithography systems(ASML、2026年11月時点)
- 半導体露光装置の製品一覧(キヤノン、2026年11月時点)
- FPA-5550iZ2(キヤノン、2026年11月時点)
- FPA-5520iV(キヤノン、2026年11月時点)
- 半導体露光装置(ニコン、2026年11月時点)
- 2026年第3四半期 決算説明会資料(キヤノン、2026年10月27日)
- 東京応化とは(東京応化工業、2026年11月時点)
- Statutory Interim Report 2026(ASML、SEC Form 6-K、2026年7月15日)
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
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