熱処理装置の市場とKOKUSAI　縦型の炉のバッチ式に強み、上期の売上収益は40%増の1640億円

熱処理は、ウエハーを数百度から千度を超える温度に熱して、表面を酸化させて膜をつくる、膜を積む、注入した不純物を働かせる、といった工程の総称です。古くからある工程ですが、メモリの層が増え、トランジスタが細かくなるほど、熱のかけ方の精度が問われます。

バッチ式と枚葉式

熱処理装置の主な種類

種類	処理のしかた	主な用途
縦型のバッチ炉	縦に積んだ多くのウエハーを炉に入れてまとめて熱する	酸化、拡散、膜の成長（ALD・CVD）
ミニバッチ	少ない枚数をまとめて処理し、膜の均一さを高める	先端のメモリの膜
枚葉の急速熱処理	1枚ずつランプなどで数秒で熱する	注入した不純物を働かせる熱処理
枚葉のプラズマ処理	プラズマで膜の表面の性質を変える	膜の改質

縦型の炉の強みは、一度に多くの枚数を処理できるため、1枚あたりの費用が下がることです。KOKUSAI ELECTRICは、この縦型の炉の技術を土台に、膜を原子の層の単位で積むバッチALDの装置と、枚葉のプラズマ処理の装置を主力にしています。会社は、この2つで高い市場シェアを持つとしています。

KOKUSAI ELECTRICの数字

2026年7〜9月期の売上収益は886億円で、前年同期比36%増えました。調整後営業利益は225億円で56%増です。受注高は約1670億円で、第1四半期の時点の想定を200億円以上上回り、2四半期続けて過去最高を更新しました。

KOKUSAI ELECTRICの業績（億円）

項目	2026年7〜9月	前年同期比	2026年4〜9月	前年同期比
売上収益	886	+36%	1,640	+40%
調整後営業利益	225	+56%	398	+57%
受注高	約1,670	－	－	－
研究開発費	53	－	－	－

7〜9月期の中国の地場メーカー向けの売上の比率は35%でした。4〜9月の累計では中国向けの比率は34%に下がっています。中国の大手NANDメーカーの投資の端境期で、NAND向けの装置の売上は前年同期比69%減りましたが、前の期からは約6倍に戻りました。

メモリの世代交代と装置

会社の説明では、3次元NANDの200層以下の世代では、ミニバッチの装置の比率が50%でした。次の300〜400層の世代では、装置の採用はほぼ決まり、400層以上では比率が80%に上がる見通しです。DRAMでは、次のD1d世代の採用の大半が決まったとしています。

2027年3月期の装置の売上は、NAND向けが前期比49%増、DRAM向けが61%増、ロジック・ファウンドリー向けが65%増、サービスが22%増の見通しです。中期の目標に掲げた売上収益3300億円は、2年早く2027年3月期に届く見込みです。

競う相手は東京エレクトロンです。同社は統合報告書で、拡散炉とバッチ成膜の市場シェアを1位としています（同社推定）。

今後の注目点

• KOKUSAI ELECTRICは総額200億円で米オレゴン州にデモセンターを建てており、2027年1月の操業をめざしています。
• 2027年3月期の設備投資は約290億円、研究開発費は約200億円の見通しです。
• 同社は2028年3月期の売上を、2027年3月期比で40%程度増と見ています。