成膜装置（CVD・ALD）の市場　ASMは7〜9月期に売上45%増、東京エレクトロンは新規装置の20%

成膜装置は、半導体の前工程で、ウエハーの表面に絶縁や配線のための薄い膜をつける装置です。ガスを化学反応させて膜を積むCVD、原料のガスを交互に流して原子の層を1層ずつ積むALD、金属の板から原子をはじき出して積むスパッタ（PVD）などがあります。トランジスタを立体にする2nm世代や、何百層も積むメモリで、ALDの使い道が増えています。

方式と主な供給元

成膜の方式と主な装置メーカー

方式	特徴	主な装置メーカー
枚葉のALD	1枚ずつ、原子の層の単位で厚さを決める	ASMインターナショナル、東京エレクトロン、ラムリサーチ
バッチのALD・CVD	縦型の炉で百枚単位をまとめて処理する	KOKUSAI ELECTRIC、東京エレクトロン
プラズマCVD	プラズマで低い温度でも膜を積む	アプライドマテリアルズ、ラムリサーチ、ASM
スパッタ（PVD）	金属の配線や下地の膜をつける	アプライドマテリアルズ、アルバック

ASMインターナショナル：ALDとエピの専業

ASMはオランダの装置メーカーで、ALDとエピタキシャル成長の装置を主力にしています。2026年7〜9月期の売上は11億5940万ユーロで、為替の影響を除くと前年同期比44%増でした。売上総利益率は52.0%、調整後の営業利益率は33.4%です。

ASMインターナショナルの四半期業績（百万ユーロ）

項目	2025年7〜9月	2026年4〜6月	2026年7〜9月
売上	800.0	1,003.1	1,159.4
売上総利益	414.9	521.1	603.2
営業利益	242.8	322.8	378.9
純利益	384.1	285.4	308.1

会社は、先端のロジックとファウンドリーが伸びの中心で、2nmへの投資に加え、1.4nmの売上が初めてまとまって立ったと説明しています。メモリではHBM向けのDRAMが強く伸びました。1.4nmでは2nmに比べて自社の装置の対象となる市場が2けた増え、シェアも上がるとしています。

日本勢：バッチ式に強い2社

東京エレクトロンは2026年の統合報告書で、拡散炉、バッチ成膜、メタル成膜の3つで市場シェア1位としています（同社推定）。新規装置の売上に占める成膜装置の比率は、2026年3月期に20%でした。同年10月の決算説明会では、先端のパッケージの部品に使う膜で、バッチALDの出荷が今期と来期ともに200台を超えると見込みました。

KOKUSAI ELECTRICは、縦型の炉でまとめて膜をつけるバッチALDの装置を主力にしています。2026年7〜9月期の売上収益は886億円で前年同期比36%増、受注高は約1670億円と四半期の過去最高を更新しました。

今後の注目点

• ASMは2026年10〜12月期の売上を12億3000万ユーロ（上下5%）、2027年は57億ユーロ超と見込んでいます。2025年の投資家説明会で掲げた2030年の売上目標に、3年早く届く計算です。
• KOKUSAI ELECTRICは、2027年のWFE市場を前年比30%以上増の1900億ドル程度と見ています。