インテルの設備投資、7〜9月は42億ドルで再び増加 アイルランド工場の持ち分は142億ドルで再取得
インテルの2026年7〜9月の設備投資の総額は42億1900万ドルで、前年同期の約30億ドルを上回りました。4月には、2024年に米アポロへ売ったアイルランド工場の持ち分49%を142億ドルで再取得すると発表しています。
ラムリサーチLam Research
エッチング装置の大手。メモリの多層化に使うエッチングと成膜の装置に強い。主な顧客はメモリとロジックの各社。
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決算の推移
| 期間 | 売上 | 前年比 | 営業利益 | 前年比 | 出典 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026年7〜9月期 | 82.2億ドル | +54.4% | 32.8億ドル | +79.5% | 資料 |
| 2026年4〜6月期 | 67.2億ドル | +30.0% | 25.1億ドル | +44.4% | 資料 |
| 2026年1〜3月期 | 58.4億ドル | +23.8% | 20.5億ドル | +31.1% | 資料 |
| 2025年10〜12月期 | 53.5億ドル | +22.1% | 18.1億ドル | +35.7% | 資料 |
会社の概要
| コード | LRCX |
|---|---|
| 上場 | NASDAQ |
| 本社 | 米カリフォルニア州フリーモント |
| 分野 | 前工程装置 |
| 決算期末 | 6月 |
| 配当（会社予想） | 1株 $0.33/四半期（2026年7〜9月期の宣言額） |
| 発行済株式数 | 12億4,917万1,000株（2026年10月20日時点、四半期報告書10-Q・年次報告書10-Kの表紙） |
| 主な製品 | エッチング・成膜装置 |
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受注残は、受けた注文のうち、まだ売上になっていない金額です。米マイクロン・テクノロジーは、長期契約から生まれる残存履行義務（RPO）が約1500億ドルあると説明しています。
WFE（ウエハー製造装置）とは 東京エレクトロンは2027年に2100億ドル以上と見る
WFEは、ウエハーに回路をつくる前工程の装置の市場規模を指す業界の言葉です。東京エレクトロンは10月30日、WFEが2026年に1600億ドル程度、2027年に2100億ドル以上になるとの見方を示しました。
前工程装置の市場とは ウエハーに回路をつくる装置を米日欧の数社が分け合う
前工程装置は、ウエハーに回路を焼き付け、削り、膜を重ねる装置の総称です。東京エレクトロンは10月30日、前工程装置の2026年の世界市場を1600億ドル程度と見積もりました。
TSV（シリコン貫通電極）とは チップを縦に貫く電極でHBMの層を結ぶ
TSVは、チップに縦の穴をあけて金属を埋め、積み重ねたチップの上下をつなぐ電極です。SKハイニックスは、HBMのチップには数千個の縦の貫通穴があると説明しています。
バンプとは はんだの玉から銅の柱、マイクロバンプへ 接続の数を増やす小さな突起
バンプは、チップの電極の上につくる小さな金属の突起で、チップと基板をつなぎます。SKハイニックスのHBM4は、データの出入り口（I/O）が2048本と前の世代の2倍で、つなぐ点の数が増えています。
めっき（銅配線）とは 溝に銅を埋めてチップの配線をつくる工程
チップの中の銅の配線は、銅を溶かした液にウエハーを浸し、電気を流して溝に銅を埋めてつくります。めっき薬品の上村工業では、パッケージ基板向けの薬品の売上が2026年4〜9月期に26.4%増えました。
ALD（原子層堆積）とは 2種類の原料を交互に流して1層ずつ積む
ALDは、原料のガスを交互に流し、原子1層分ずつ膜を積む方式です。材料のトリケミカル研究所では、ALDなどで使うHigh-k向けの材料が上期の売上147億円の約半分を占めました。
CVDとは 原料ガスを熱やプラズマで反応させて膜をつくる
CVDは、原料のガスを熱やプラズマで反応させ、ウエハーの上に膜をつける方式です。縦型のバッチ炉を持つKOKUSAI ELECTRICは、2027年3月期にロジック・ファウンドリー向けの装置売上が65%増えると見込みます。
成膜とは ウエハーに原子数個分から数マイクロメートルの膜を積む工程
成膜は、ウエハーの上に絶縁や配線のための薄い膜をつける工程です。東京エレクトロンの2026年3月期の新規装置売上では、成膜装置が20%を占めました。
原子層エッチング（ALE）とは 表面を変えてから剥がす2段の繰り返しで、原子の層を数枚ずつ削る
原子層エッチング（ALE）は、原子の層を数枚ずつ削る、最も細かい加工のエッチングです。東京エレクトロンは、ALEを原子の層を積むALDと「逆の関係」にある技術と説明し、2025年の専門の学会でALEを含む10件を発表しました。
ドライエッチングとは プラズマのイオンで膜を削る、極低温で3D NANDの深い穴を2.5倍速く
ドライエッチングは、プラズマの中のイオンを膜に当てて削る方法で、今の半導体の加工の主流です。ラムリサーチは、3D NANDの深さ10マイクロメートルの穴を、極低温の方式で従来の2.5倍の速さで削れるとしています。
エッチングとは 回路の形に膜を削る工程、ラムリサーチは7〜9月に売上高82億ドル
エッチングは、レジストで覆われていない部分の膜を削り、回路の形を作る工程です。エッチング装置の大手の米ラムリサーチの2026年7〜9月期の売上高は82億2,000万ドルで、前の四半期比22%増えました。
自己整合ダブルパターニング（SADP）とは 1回の露光と側壁の膜で線の間隔を半分に
SADPは、露光で作った「芯」の線の両側に薄い膜を付け、芯を取り除いて膜を新しい線として使う方法です。成膜装置のKOKUSAI ELECTRICは、2027年の前工程の装置の市場を2026年比30%以上増の約1,900億ドルと見ています。
マルチパターニングとは 1つの層を2回、4回に分けて写し、露光の限界を超える
マルチパターニングは、1つの層の模様を2回、4回と分けて作り、露光装置の解像度より細かい回路を得る方法です。ASMLは、EUVで1回の露光に置き換えればマスクと工程の数を減らせると説明しています。
メタルオキサイドレジストとは スズ酸化物のEUV用レジスト、JSR傘下のインプリアが開発
メタルオキサイドレジストは、スズの酸化物を核にした金属のかたまりを使うEUV用のレジストです。開発する米インプリアは2021年にJSRの傘下に入り、JSRは2026年5月にインテグリスと特許を相互に使える契約を結びました。
中微半導体（AMEC）はどんな会社か 1〜9月の売上28%増の103億元、研究開発費は売上の31%
中国のエッチング装置大手、中微半導体設備の2026年1〜9月の売上は103億2614万元で、前年同期比28.08%増えました。純利益は41億3396万元で241.31%増えましたが、保有株の売却益など本業以外の利益が大きく効いています。
北方華創（NAURA）はどんな会社か 1〜9月の売上は314億元、7〜9月期は1.31%増にとどまる
中国の半導体装置メーカー、北方華創の2026年1〜9月の売上は314億6709万元で、前年同期比15.26%増えました。7〜9月期は113億568万元で1.31%増と伸びが鈍り、会社は一部の部材の供給がひっ迫していると説明しています。
半導体の地政学 輸出規制はどこを止め、何が動いたか
米商務省は2022年10月7日、中国向けの先端半導体と製造装置の輸出規制を大きく強めました。日本の半導体製造装置の輸出に占める中国向けの比率は、2026年1〜9月に36.0%と、前年同期の43.0%から下がっています（計算）。
半導体製造装置の世界販売、2026年は1659億ドルへ SEMIが23.2%増と予測
SEMIは、半導体製造装置の世界販売額が2026年に1659億ドルとなり、前年から23.2%増えるとの予測を出しました。2028年には2295億ドルまで伸び、5年続けて増える見通しです。
アプライドマテリアルズ、8〜10月期売上104億ドル 前年同期比53%増
米アプライドマテリアルズの2026年8〜10月期の売上は104億900万ドルで、前年同期より53%増えました。装置の売上のうち、DRAM向けが33%を占めました。
KLA、7〜9月期売上41億ドル 検査装置が9割、10〜12月期は47億ドル見込む
半導体の検査・計測装置大手、米KLAの2026年7〜9月期の売上は41億3,600万ドルでした。前年同期の32億1,000万ドルから28.8%増え、会社の見通しの中間値40億ドルを上回りました（増加率は計算）。
ラムリサーチ、7〜9月期売上82.2億ドル 中国比率35%に上昇
米ラムリサーチの2026年7〜9月期の売上は82億1,900万ドルで、前年同期の53億2,400万ドルから54%増えました。純利益は27億5,300万ドルで、売上、利益、1株利益がそろって過去最高でした。
インテル、7〜9月期売上165億ドル データセンター・AI部門78%増
インテルの2026年7〜9月期の売上は165億ドルで、前年同期より21%増えました。データセンター・AI（DCAI）部門の売上が73億ドルと78%伸び、全体を押し上げました。