日本の半導体製造装置の輸出管理、省令の第6条第17号に37項目　EUVのペリクルから洗浄・アニール装置まで

日本の半導体製造装置の輸出は、外国為替及び外国貿易法（外為法）で管理されています。どの装置に許可が要るかは、「輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令」（通称は貨物等省令）が細かく定めます。政府の法令データベースe-Govの最新の条文から、半導体の装置の部分を読みました。

第17号に37項目

貨物等省令の第6条第17号は、「半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置」とその部分品を定めます。項目はイからシまでの42の枠があり、このうちハ、ニ、ト、チ、リの5つは削除されています。有効な項目は37です（計算）。

項目は工程ごとに並んでいます。結晶のエピタキシャル成長装置、イオン注入装置、ウエハーの搬送装置、露光装置、検査装置のほか、ドライエッチング、ウェットエッチング、異方性エッチングの装置があります。成膜装置は、コバルトのめっき、タングステンやモリブデン、ルテニウムの膜をつくる装置など、細かく分かれています。真空中で動くアニール装置、枚葉式の洗浄装置、超臨界の二酸化炭素を使う洗浄装置、計測装置も入ります。

貨物等省令で半導体に関わる主な号

号	対象	主な例
第6条第17号	半導体製造装置・試験装置（37項目）	露光、エッチング、成膜、洗浄、アニール、計測、EUV用ペリクル
第6条第17号の2	製造・試験の装置	回路の画像を撮る走査型電子顕微鏡、極低温のウエハープローバ
第6条第17号の3	マスク・レチクル	位相シフトマスク、インプリントのテンプレート、EUV用マスク
第6条第17号の4	マスクの基材	EUV用のモリブデン・シリコン多層膜のマスクブランク（SEMI規格P37準拠）
第6条第22号	基板・インゴット	炭化ケイ素、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ダイヤモンドなど

出典：e-Gov法令検索「輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令」（2026年2月14日施行の版）。項目数は条文から数えた（計算）。

露光装置の線は「193ナノ未満」

露光装置（第17号ヘ）は、ウエハーを処理するステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式の装置のうち、光源の波長が193ナノメートル未満のもの、または波長に0.35をかけて開口数で割った値が45以下のものが対象です。インプリントの装置は、45ナノメートル以下の線幅をつくれるものが入ります。

EUV（極端紫外線）の露光に関わる品目は、装置の外側にも広がっています。EUV用に設計したペリクル（マスクを覆う膜）、EUV用のレジストを塗って膜にする装置、EUVのパターンを整える装置、EUV用のマスクブランクが、それぞれ別の項目で並びます。深紫外線（DUV）の液浸露光に関わる装置の項目もあります。

装置だけでなく技術も

省令は、貨物だけでなく技術の提供も対象にしています。半導体の分野では、ゲート・オール・アラウンド型のトランジスタ（GAAFET）の構造を持つ集積回路の設計や製造に要る技術が入り、プロセスの設計キット（PDK）の一部も含まれます。電子顕微鏡の画像から回路の配置のデータを取り出す技術も対象です。

最新の改正は令和7年経済産業省令第72号です。2025年11月14日に公布され、2026年2月14日に施行されました。

今後の注目点

• 次の省令の改正の公布と施行の日付は、e-Govの改正履歴で確かめられます。
• 第6条は輸出令別表第一の7の項（電子機器など）の仕様を定める条文で、半導体の素子や基板もここに並びます。