ASML、上期のHigh-NA EUV販売は3台・約11.9億ユーロ　EUVの生産能力は2027年に3割増

半導体の露光装置で世界最大手のASMLが、次世代のHigh-NA EUV露光装置の出荷を増やしています。同社が7月に公表した2026年上期（1〜6月）の報告書によると、High-NA EUVの「EXE」シリーズの販売は3台、金額は11億8890万ユーロでした。前年同期は1台でした。

High-NAは1台あたり約4億ユーロ

EUV露光装置は、波長の短い光で回路を焼き付ける装置です。最先端のロジック半導体やDRAMの量産で使われています。ASMLは開口数（NA）0.33の従来型を「NXE」、0.55の次世代型を「EXE」と呼び分けています。開口数が大きいほど、より細かい回路を一度に描けます。

上期の販売額を台数で割ると、EXEは1台あたり約3億9600万ユーロ、NXEは約2億3100万ユーロになります（計算）。High-NAはNXEの約1.7倍の価格帯です（計算）。顧客は、高い装置代と、露光の回数を減らして工程を短くできる効果とをはかりにかけて、導入の時期を決めることになります。

ASMLの露光装置の販売（2026年1〜6月）

機種	台数	販売額
EXE（High-NA EUV）	3台	11億8890万ユーロ
NXE（従来型EUV）	29台	67億0850万ユーロ
ArF液浸	40台	33億3170万ユーロ
装置販売の合計（計測・検査を含む）	274台	128億4420万ユーロ

出典：ASML Statutory Interim Report 2026（2026年7月15日、SECに提出）。

EUVの生産能力は2027年に3割増

同じ報告書で、ASMLはNXEの2026年の生産能力を約65台とし、2027年に30%上積みする計画を示しました。2028年に向けてさらに30%増やす方法も検討しているとしています。10月14日の7〜9月期の決算発表では、2027年と2028年は計画している供給が顧客の需要に届かないとの見方を示しました。一部の顧客は2029年と2030年の分の発注も望んでいると説明しています。

7〜9月期の売上高は116億6200万ユーロと四半期の過去最高でした。粗利益率は57.5%です。10〜12月期の売上高は142億〜152億ユーロを見込み、2026年通年では440億〜450億ユーロを予想しています。

顧客は韓国と台湾が中心

上期の地域別の売上高（装置と保守の合計）を見ると、韓国が70億8550万ユーロで最も多く、台湾が51億1470万ユーロで続きました。中国は28億8330万ユーロでした。全体に占める中国の比率は約16%です（計算）。メモリ向けの装置販売は64億150万ユーロで、ロジック向けの64億4270万ユーロとほぼ並びました。HBMを含むDRAMへの投資の強さが表れています。

ASMLは同じ期の資料で、TSMCと共同で、High-NA EUV向けに12インチのフォトマスクへの移行に取り組むことにも触れました。High-NAの導入に向けた周辺の準備も進んでいます。

7〜9月期の装置の販売は121台、金額は83億7320万ユーロでした。前年同期の72台、55億5380万ユーロから大きく増えました。保守やアップグレードなどの売上（Installed Base Management）は33億ユーロで、会社の予想を上回りました。10〜12月期の保守などの売上は約37億ユーロを見込みます。

今後の注目点

• ASMLは例年1月に、10〜12月期と通期の決算を発表しています。
• ASMLは2027年6月10日に投資家向け説明会を開き、長期の見通しを更新するとしています。